晶體生長是用一定的方法和技術，使單晶體由液態或氣態結晶成長。由液態結晶又可以分成熔體生長或溶液生長兩大類。

熔體生長法又分為有直拉法、坩堝下降法、區熔法、焰熔法（又稱維爾納葉法）等

直拉法

此法是由熔體生長單晶的一項最主要的方法，適用于大尺寸晶體的批量生產。被加熱的坩堝中盛著熔融的料，籽晶桿帶著籽晶由上而下插入熔體，由于固液界面附近的熔體維持一定的過冷度、熔體沿籽晶結晶，并隨籽晶的逐漸上升而生長成棒狀單晶。坩堝可以由高頻感應或電阻加熱。半導體鍺、硅、氧化物單晶如釔鋁石榴石、釓鎵石榴石、鈮酸鋰等均用此方法生長而得。應用此方法時控制晶體品質的主要因素是固液界面的溫度梯度、生長速率、晶轉速率以及熔體的流體效應等。

區熔法

將一個多晶材料棒，通過一個狹窄的高溫區，使材料形成一個狹窄的熔區，移動材料棒或加熱體，使熔區移動而結晶，最后材料棒就形成了單晶棒。這方法可以使單晶材料在結晶過程中純度提得很高，并且也能使摻質摻得很均勻。區熔技術有水平法和依靠表面張力的浮區熔煉兩種。

溶液生長法又分為水溶液法、水熱法，助熔劑法等

水溶液法

對于具有負溫度系數或其溶解度溫度系數較小的材料，可以使溶液保持恒溫，并且不斷地從育晶器中移去溶劑而使晶體生長，采用這種辦法結晶的叫蒸發法。

水熱法